Cina annuncia scoperta meccanismo per memorie ultra-veloci

Riduce tempi elaborazione da 100.000 a 20 nanosecondi

(ANSA-XINHUA) - PECHINO, 06 MAG - Ricercatori cinesi hanno scoperto un nuovo meccanismo per sviluppare dispositivi di memoria non volatile ad altissima velocità. Secondo l'Istituto di Fisica dell'Accademia Cinese delle Scienze, lo sviluppo di dispositivi di memoria ad alte prestazioni ha avuto un ruolo chiave nell'innovazione elettronica. I dispositivi di memoria non volatile, comprese le memorie di sola lettura (ROM) e le memorie flash, hanno un'alta capacità e affidabilità meccanica, ma le loro prestazioni sono state spesso ostacolate dal basso valore di estinzione e dalla bassa velocità operativa.
    Un team di ricerca dell'Istituto di Fisica ha sviluppato dispositivi di memoria non volatile floating-gate ad altissima velocità, basati su eterostrutture di Van der Waals con interfacce atomicamente nitide tra diversi elementi funzionali, con un valore di estinzione fino a 10 miliardi.
    Tali dispositivi di memoria sono in grado di compiere operazioni di lettura e scrittura nell'ordine di 20 nanosecondi, e di conservare i dati per almeno dieci anni. Gli attuali dispositivi commerciali di memoria flash leggono e scrivono dati in un intervallo di 100 microsecondi, ovvero 100.000 nanosecondi.
    Le eterostrutture di Van der Waals sono costituite da diversi materiali stratificati impilati e possono essere impiegate in campi di ricerca che vanno dalla scienza dei materiali all'elettrochimica.
    La ricerca, finanziata dalla National Natural Science Foundation of China, dal Ministero della Scienza e della Tecnologia e dall'Accademia Cinese delle Scienze, lunedì è stata pubblicata online sulla rivista Nature Nanotechnology.
    (ANSA-XINHUA).
   

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